 |
| 中国科大二维磁性半导体材料研究获进展 |
| 编记：； 出处：中国科学院. 2015-05-29 |
| 国内新闻 |
| 日前，中国科学技术大学研究人员利用同步辐射软X 射线吸收谱学技术，在研究二维超薄MoS2 半导体磁性材料的结构、形貌和性能调控中取得重要进展。研究结果提供了一个通过“相掺杂”引入磁矩进而调控二维薄片磁学性质的新方法。 |
| 详细内容请点击全文下载... |
| 全文下载 |
详细地址：广东省广州市越秀区先烈中路100号 邮编：510070
版权所有：广东省科技图书馆(建议分辨率1024*768以上) 粤ICP备05059360号
互动邮箱：stlib@stlib.cn; zhangrui@stlib.cn
部门博客：http://diglib.blog.sohu.com/