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多功能硅压阻复合传感器

实用新型专利

申请专利号：CN200420120116.0

申请日期：2004.12.24

公开公告号：CN2767983

公开公告日：2006.03.29

主分类号：G01L13/06(2006.0

分类号：G01L13/06(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I;G01K7/24(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：中国石油天然气集团公司;中国石油?

地址：100724北京市西城区六铺炕6号

发明设计人：郑永辉;陈信琦;唐慧;孙海玮;刘辉;史云肖;孙烈鹏

内容摘要：一种多功能硅压阻复合传感器主要由硅敏感芯片、双抛玻璃、导压管、基座组成，其特征在于硅敏感芯片7是指在双面抛光的N型硅单晶片的正面注入硼形成P型差压敏感电桥1、静压敏感电桥2，并在两电桥联接处置有温度敏感元件3，硅敏感芯片的差压敏感电桥1能感受到传感器两端的压差，而静压敏感电桥2只能感受到正压端的压力。多功能硅压阻复合传感器是研发高精度、智能化压力变送器的核心技术与基础部件。通过多功能传感器同时测量差压、静压和温度并通过微处理器对静压和温度影响进行补正，实现对压力或差压测量的高精度、高稳定性。

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