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集成电路制造中用于俄歇电子能谱的样品的处理方法

发明专利

申请专利号：CN200510133003.3

申请日期：2005.12.27

公开公告号：CN1991346

公开公告日：2007.07.04

主分类号：G01N23/227(2006.

分类号：G01N23/227(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限

地址：201203上海市浦东新区张江路18号

发明设计人：张启华李明牛崇实廖炳隆

内容摘要：本发明提供了一种在集成电路制造中用于分析样品的方法，集成电路例如是MOS晶体管、专用集成电路、存储器器件、微处理器、片上系统。该方法包括提供一块集成电路芯片，其具有表面区域，该表面区域具有至少一个感兴趣区域，如键合焊盘。该方法包括利用阻隔材料覆盖包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还在表面区域的第二部分上形成金属层，同时阻隔材料保护了第一部分。该方法移去阻隔材料以暴露包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还对金属层施加电压差以从表面区域的第一部分吸引走一个或多个带电粒子。该方法还对包括感兴趣区域在内的表面区域进行能谱分析。

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