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用于片上系统的双层总线结构
发明专利

 
申请专利号:CN200510131629.0
申请日期:2005.12.15
公开公告号:CN1791219
公开公告日:2006.06.21
主分类号:H04N7/26(2006.01
分类号:H04N7/26(2006.01)I;G06F13/40(2006.01)I
国际申请:
国际公布:
申请人:三星电子株式会社
地址:韩国京畿道
发明设计人:朴贤相
 
内容摘要:公开了一种用于片上系统(SOC)的双层总线结构。所述总线结构包括:主总线,其被适配成将微处理器、图像捕获模块和双主导(dual master)模块连接到高密度存储器;和高速辅助总线,其与主总线独立操作,并且被适配成将双主导模块连接到高速辅助存储器。
 
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