 |
| 提高存储性能 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200510005133.9 |
| 申请日期：2005.01.28 |
| 公开公告号：CN1677341 |
| 公开公告日：2005.10.05 |
| 主分类号：G06F9/30 |
| 分类号：G06F9/30;G06F12/08 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：英特尔公司 |
| 地址：美国加利福尼亚州 |
| 发明设计人：弗拉基米尔·彭特科维克西;岑玲;维韦克·加尔格;迪普·布什;戴维·赵 |
| 内容摘要：本发明公开了一种存储操作的体系结构，其改善了存储操作延迟，并提高了专有读取(RFO)的吞吐率。本发明的实施例涉及通过实现RFO操作的乱序发射和更有效地使用存储缓冲器延迟周期来改善微处理器的存储性能的方法和装置。 |
| 详细内容请点击全文下载... |
| 全文下载 |
详细地址：广东省广州市越秀区先烈中路100号 邮编：510070
版权所有：广东省科技图书馆(建议分辨率1024*768以上) 粤ICP备05059360号
互动邮箱：stlib@stlib.cn; zhangrui@stlib.cn
部门博客：http://diglib.blog.sohu.com/