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| 一种以蒙脱土为模板制备纳米聚合物的方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200510011348.1 |
| 申请日期：2005.02.24 |
| 公开公告号：CN1663969 |
| 公开公告日：2005.09.07 |
| 主分类号：C08F2/44 |
| 分类号：C08F2/44 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：北京科技大学 |
| 地址：100083北京市海淀区学院路30号 |
| 发明设计人：王戈;冯莉 |
| 内容摘要：本发明提供了一种以蒙脱土为模板制备纳米聚合物的方法。采用蒙脱土MMT的层间作为单体聚合的反应空间，将阴离子粘土蒙脱土的可插层性能应用到模板聚合反应中，先将聚合单体插层组装到蒙脱土MMT层间，再以MMT为模板，使聚合单体在模板内发生聚合反应，然后分离出聚合物。本发明的优点在于：聚合条件易于控制，聚合影响因素少，制备的聚合物具有纳米尺寸特点。该类聚合物在机械、光、电、磁、微处理器件、药物控释、环境保护、隐身材料、高性能涂层材料、纳米反应器及生物化学等方面将具有广阔的应用前景。 |
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