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| 2006.10.26 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200610063321.1 |
| 申请日期：2006.10.26 |
| 公开公告号：CN101105752 |
| 公开公告日：2008.01.16 |
| 主分类号：G06F9/445(2006.0 |
| 分类号：G06F9/445(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：福昭科技（深圳）有限公司 |
| 地址：518057广东省深圳市高新技术产业园南区高新南七道深港产学研基地西座W211A |
| 发明设计人：林清益 |
| 内容摘要：本发明公开了一种利用NAND闪存记忆体存储及启动程序的方法。所述的方法如下：系统由微处理器(Micro Controller)、静态随机存取内存(SRAM)、动态随机存取内存(DRAM)、NAND闪存(NAND Flash)以及NAND闪存控制IC(NAND Flash Controller IC)等组件组成，系统通过两个阶段的复位信号 (Reset)的传递，使NAND闪存记忆体能同时提供NOR与NAND的功能，在引导嵌入式系统开机启动的同时，还可以提供内置的闪存存储盘的功能。通过应用本发明，可以大大增加嵌入式系统(Embedded System)的完整性，并节省了系统成本，有广泛的应用前景。 |
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