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带优化C(T)的ITFC
发明专利

 
申请专利号:CN200680009401.7
申请日期:2006.03.31
公开公告号:CN101147434
公开公告日:2008.03.19
主分类号:H05K1/16(2006.01
分类号:H05K1/16(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I
国际申请:
国际公布:
申请人:英特尔公司
地址:美国加利福尼亚州
发明设计人:C·帕兰杜茨;D·伍德
 
内容摘要:一种方法包括在衬底上沉积包含大量陶瓷材料纳米微粒的胶体的悬浮液;并且热处理该悬浮液以形成薄膜。一种方法包括将多个陶瓷材料纳米微粒沉积在衬底表面的预定位置上;并且热处理该多个纳米微粒以形成薄膜。一种系统包括包含微处理器的计算设备,该微处理器通过衬底耦合至印刷电路板,该衬底包括在衬底上形成的至少一个电容器结构,该电容器结构包括第一电极、第二电极、以及耦合在第一电极和第二电极之间的陶瓷材料,其中该陶瓷材料包括柱状晶粒。
 
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