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在半导体加工设备中的氧化锆增韧陶瓷组件和涂层及其制造方法

发明专利

申请专利号：CN01822517.9

申请日期：2001.11.21

公开公告号：CN1489779

公开公告日：2004.04.14

主分类号：H01L21/00

分类号：H01L21/00;C23C16/44;C23C16/40;C23C14/08;H01J37/32

国际申请：PCT/US01/43149 2001.11.21

国际公布：WO02/054453 英 2002.7.11

申请人：兰姆研究公司

地址：美国加利福尼亚州

发明设计人：R·J·奥丹尼尔;C·C·常

内容摘要：半导体加工设备如等离子室组件的抗腐蚀组件，包括作为组件外表面的氧化锆增韧陶瓷材料。组件可全部由陶瓷材料制成，或陶瓷材料可作为涂层附在衬底上如铝或铝合金，不锈钢或难熔金属。氧化锆增韧陶瓷可以是四方氧化锆多晶(TZP)材料，部分稳定氧化锆(PSZ)或氧化锆弥散增韧陶瓷(ZTC)，如氧化锆增韧氧化铝(四方氧化锆颗粒弥散在Al2O3中)。在陶瓷氧化锆增韧的涂层的情况，可在组件和陶瓷涂层之间附以一层或多层中间层。为提高陶瓷涂层的结合力，组件表面或中间层表面可在沉积陶瓷涂层前进行表面粗糙化处理。

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