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| 低温共烧低介电常数玻璃陶瓷材料 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN02134775.1 |
| 申请日期：2002.09.18 |
| 公开公告号：CN1483689 |
| 公开公告日：2004.03.24 |
| 主分类号：C03C10/06 |
| 分类号：C03C10/06;C03C10/08;C03C3/089 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：深圳南虹电子陶瓷有限公司 |
| 地址：518067广东省深圳市南山区蛇口沿山路南玻工业大厦 |
| 发明设计人：刘浩斌;张凡 |
| 内容摘要：一种低温共烧低介电常数玻璃陶瓷材料，玻璃相为硼硅玻璃，所述陶瓷相为堇青石和/或镁橄榄石。硼硅玻璃的含量为40～75wt％，堇青石和/或镁橄榄石的总含量为25～60wt％。硼硅玻璃中：氧化硅的含量为75％～85wt％，氧化硼的含量为15～25wt％，碱金属氧化物K2O、Na2O和/或碱土金属氧化物BaO、SrO、CaO的总含量不超过5wt％。堇青石为人工合成的，镁橄榄石既可以是天然矿物，或人工合成，当配方中同时有这两种材料时，二者间的比例可任意调节。所述硼硅玻璃、堇青石和/或镁橄榄石经球磨后，颗粒尺寸范围在0.5～5.0μm之间。本发明提供了一种可与银或银/钯浆料在900℃及其以下低温共烧且制作的介电常数更低的玻璃陶瓷材料。 |
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