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半导体工艺设备中的含铈氧化物的陶瓷部件与涂层

发明专利

申请专利号：CN02808947.2

申请日期：2002.03.21

公开公告号：CN1505695

公开公告日：2004.06.16

主分类号：C23C16/44

分类号：C23C16/44;H01J37/32;B01J19/02

国际申请：PCT/US2002/006651 2002.3.21

国际公布：WO2002/079538 英 2002.10.10

申请人：兰姆研究公司

地址：美国加利福尼亚

发明设计人：R·J·奥唐奈;J·E·道格尔蒂

内容摘要：半导体工艺设备如等离子体腔室的一种抗腐蚀部件，其包含用一种含铈氧化物的陶瓷材料作为部件的最外层表面。含铈氧化物的陶瓷材料包含一种或多种铈氧化物作为其单一的最大组分。该部件可以完全由含铈氧化物的陶瓷材料制造，或者可供选择的，可用这种含铈氧化物的陶瓷在比如铝或者铝合金，陶瓷材料，不锈钢，或者难熔金属的衬底上提供一种层。可以通过一种技术比如等离子喷涂将该含铈氧化物的陶瓷层作为一种涂层提供。在部件和这种含铈氧化物的陶瓷涂层之间可以提供一个或者多个中间层。为了提高这种含铈氧化物的陶瓷涂层的附着力，在沉积该含铈氧化物的陶瓷涂层之前，可以对部件表面或者中间层表面进行一种表面粗糙化处理。

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