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掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法

发明专利

申请专利号：CN03125220.6

申请日期：2003.08.01

公开公告号：CN1579993

公开公告日：2005.02.16

主分类号：C04B35/575

分类号：C04B35/575;C04B35/577;C04B35/645

国际申请：

国际公布：

申请人：万青

地址：430062湖北省武汉市湖北大学教育学院于英（转）

发明设计人：万青

内容摘要：本发明公开了一种掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法。它涉及块体钛碳化硅陶瓷材料的制备，提供了一种掺加助剂CaF2热压烧结层状钛碳化硅块体材料的方法。本发明的方法是一种原位热压烧结法，其方法的步骤及次序如下：A.摩尔比Ti∶Si∶C＝3∶1∶(1.95～2.05)混合，再加总量2～8Wt％的CaF2；B.将A料24～30h的混合；C.将混合均匀的粉料装入石墨模具中，在惰性气氛保护下热压烧结1～8h，温度1200～1500℃，压力20～80MPa；D.在惰性气氛保护下自然冷却。本发明的创新之处在于利用助剂CaF2的加入，降低烧结温度，加快固相反应，提高产物的纯度和致密度。本发明简单可靠、成本低、产率高，适合大规模工业生产。

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