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一种纳米硅铅导电陶瓷材料及制作方法
发明专利

 
申请专利号:CN200310100477.9
申请日期:2003.10.17
公开公告号:CN1528707
公开公告日:2004.09.15
主分类号:C04B35/515
分类号:C04B35/515;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/63;H01B1/00
国际申请:
国际公布:
申请人:张泽民;潘行亦
地址:325600浙江省乐清市邮电巷1号4楼
发明设计人:张泽民;潘行亦
 
内容摘要:本发明公开了一种纳米硅铅导电陶瓷材料及制作方法,它是由500目以上的硅粉和铅粉,以30%∶50%∶50%-70%的重量比,在氢气环境中,高温反应,再将反应制成的硅铅块粉磨成纳米级粉末,添加适量粘合剂搅拌,烘干后,再在氢气环境中,高温烧制而成。本发明具有改善铅蓄电池性能,提高铅蓄电池的能量与体积比,延长使用寿命和价格低等优点。
 
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