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| 一种新型管式陶瓷电容器的制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200310104016.9 |
| 申请日期：2003.12.15 |
| 公开公告号：CN1629990 |
| 公开公告日：2005.06.22 |
| 主分类号：H01G4/12 |
| 分类号：H01G4/12;H01G13/00 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：电子科技大学 |
| 地址：610054四川省成都市建设北路二段4号 |
| 发明设计人：钟朝位;张树人 |
| 内容摘要：本发明提供了一种新型管式陶瓷电容器的制备方法，包括制备表面层管式陶瓷电容器和制备晶界层管式陶瓷电容器的方法，它是通过制备出有效介电常数很大的半导体陶瓷材料取代I类或II类介质陶瓷材料来制备滤波器用大容量的管式电容器。半导体陶瓷的有效介电常数通常可达数万乃至十几万，因此，采用本发明制备的新型管式陶瓷电容器较之用常规I类或II类介质陶瓷制作的相同尺寸管式电容器，其电容量至少大一个数量级。 |
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