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高频陶瓷电容器的陶瓷材料及其制造方法 |
发明专利 |
申请专利号:CN200310107033.8 |
申请日期:2003.11.17 |
公开公告号:CN1545112 |
公开公告日:2004.11.10 |
主分类号:H01G4/12 |
分类号:H01G4/12;H01B3/12;C04B35/01;C04B35/622 |
国际申请: |
国际公布: |
申请人:天津大学 |
地址:300072天津市卫津路92号 |
发明设计人:吴顺华;王国庆;王爽;王伟;苏皓;杨正方 |
内容摘要:本发明公开了一种高频陶瓷电容器的陶瓷材料及制造方法。所述的高频陶瓷电容器的陶瓷材料主要成分为(Zr0.7Sn0.3)TiO4化合物,并且含有CuO、ZnO、BaCO3、SrCO3和玻璃添加剂中的至少一种。其制备方法包括:用淬冷法制造玻璃,以ZrO2、SnO2、TiO2为主要原料,按配方加入添加剂,进行球磨、烘干、过筛、预烧、二次球磨、烘干、造粒、压制成型、进行烧结。其特征在于,预烧是以5~6℃/分的升温速率升至1000~1120℃;烧结是以3℃/分的升温速率升至500~550℃后,再以5~6℃/分的升温速率升至1100~1200℃。本发明的优点在于,所制备的陶瓷材料具有优异的介电性能,原料价格低廉;由于烧结温度低,可与Pd含量较低的内电极浆料共烧,从而降低多层陶瓷电容器的生产成本。 |
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