 |
| 适合工业化生产的掺杂锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200310109138.7 |
| 申请日期：2003.12.05 |
| 公开公告号：CN1546427 |
| 公开公告日：2004.11.17 |
| 主分类号：C04B35/491 |
| 分类号：C04B35/491;C04B35/622;H01L41/187;H01B3/12 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 地址：200050上海市定西路1295号 |
| 发明设计人：李国荣;朱志刚;殷庆瑞;郑嘹赢 |
| 内容摘要：本发明涉及一种适合工业化生产的掺杂锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料，属于压电材料领域。本发明向基于锑锰锆钛酸铅(PMS-PZT)的压电陶瓷材料中加入氧化硅、氧化铈和氧化铬等添加物，烧结温度范围为1100℃-1200℃。在机电耦合系数Kp、机械品质因子Qm等压电性能不降低的情况下，同时具有较高的机械强度。这种压电陶瓷材料特别适合在大功率压电陶瓷器件以及Ag/Pd作为内电极的压电多层共烧陶瓷器件中使用。 |
| 详细内容请点击全文下载... |
| 全文下载 |
详细地址：广东省广州市越秀区先烈中路100号 邮编：510070
版权所有：广东省科技图书馆(建议分辨率1024*768以上) 粤ICP备05059360号
互动邮箱：stlib@stlib.cn; zhangrui@stlib.cn
部门博客：http://diglib.blog.sohu.com/