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| 半导体集成装置 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200310113146.9 |
| 申请日期：2003.12.25 |
| 公开公告号：CN1519829 |
| 公开公告日：2004.08.11 |
| 主分类号：G11B7/125 |
| 分类号：G11B7/125;H01S5/02 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：索尼公司 |
| 地址：日本东京都 |
| 发明设计人：根本和彦 |
| 内容摘要：本发明公开了一种半导体集成装置，旨在改善在半导体激光器发射出激光束时的散热效果和针对光学器件的绝热性能。该装置包括：一个由金属材料或者陶瓷材料制成的底部元件、一个由树脂材料或者玻璃材料制成的壳体、以及一个器件配置块。在所述底部元件上放置有一个衬底，在该衬底上安装有包括半导体激光器的规定光学器件。所述壳体覆盖住设置于底部元件上的衬底。所述器件配置块被联接在壳体上，并且具有不同于前述光学器件的光学器件。 |
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