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| 低温叠层共烧的介电陶瓷和铁氧体及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200310115025.8 |
| 申请日期：2003.11.20 |
| 公开公告号：CN1544391 |
| 公开公告日：2004.11.10 |
| 主分类号：C04B35/462 |
| 分类号：C04B35/462;C04B35/499;C04B35/26;C04B35/622;H01L41/187;H01B3/12 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：西安中天科技有限责任公司 |
| 地址：710075陕西省西安市高新路25号高新商务5层 |
| 发明设计人：田长生;高峰;杨祖培;王文斌;宋宏健;韩瀛;李伟斌 |
| 内容摘要：本发明涉及低温叠层共烧的介电陶瓷和铁氧体及其制备方法，本发明介电陶瓷材料和铁氧体材料的基本组分及其制备方法，详见说明书。本发明的优点是制备工艺简便，低温烧结，无分层开裂，无翘曲变形。具有良好结合界面的PNN基陶瓷和NiZnCu铁氧体叠层共烧体，减少了氧化铅的挥发，减轻了对环境的污染，降低成本。本发明产品用于制作EMI片式多层LC滤波器，以及其它复合型片式电子元器件。 |
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