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低温烧结的含铅系介电陶瓷及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200310115026.2

申请日期：2003.11.20

公开公告号：CN1544392

公开公告日：2004.11.10

主分类号：C04B35/462

分类号：C04B35/462;C04B35/499;C04B35/622;C04B35/64;H01L41/187;H01B3/12

国际申请：

国际公布：

申请人：西安中天科技有限责任公司

地址：710075陕西省西安市高新路25号高新商务5层

发明设计人：田长生;高峰;杨祖培;王文斌;宋宏健;韩瀛;李伟斌

内容摘要：低温烧结的含铅系介电陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷材料领域，该陶瓷材料采用的基本组分为：Pb1-xSrx(Ni1/3Nb2/3)1-yTiyO3+q1molMnO2+q2molZn(CH3COO)2+q3molWO3+q4molBaCO3+q5molCuO，0.05≤x≤0.20 0≤y≤0.400.005≤q1≤0.01 0＜q2≤0.010.01＜q3≤0.04 0＜q4≤0.010≤q5≤0.01,该材料是用化学纯化工原料，经过如下工序制作：混合磨细；经一次烘干；经预烧、保温、粉碎后磨细；经二次烘干；造粒成型；将其干压成圆片；烧结，并保温；抛光；烧成后的瓷片，被银并烧银电极。本组分提供了致密度高、介电性能良好的介电陶瓷，同时由于烧成温度的降低，减少了有毒物氧化铅的挥发，减轻了对环境的污染；工艺简化，成本低。本发明可以应用于制作Y5V、Z5U系列多层陶瓷电容器、EMI片式多层LC滤波器以及其他独石型片式电子元器件。

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