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高频陶瓷介质材料、其制备方法及所得的电容器 |
发明专利 |
申请专利号:CN200310117577.2 |
申请日期:2003.12.29 |
公开公告号:CN1635591 |
公开公告日:2005.07.06 |
主分类号:H01G4/12 |
分类号:H01G4/12;H01G4/30;H01B3/12;C04B35/462 |
国际申请: |
国际公布: |
申请人:广东风华高新科技集团有限公司 |
地址:526020广东省肇庆市风华路18号风华电子城 |
发明设计人:张火光;韩建宏;付振晓;王作华;魏汉光;李文君;周志珍 |
内容摘要:本发明公开了一种高频BaNd2Ti4+xO12+2x(0≤X≤1)系陶瓷介质材料、其制备方法以及所制得的陶瓷电容器。本发明的介质材料的组成用摩尔百分比表示如下:BaNd2Ti4+xO12+2x:60~80%,ZnO:8.0~15%,B2O3:4.0~10.0%,SiO2:3.0~8.0%。另外,本发明的介质材料还可含有0.3~1.0%的Al2O3和0.5~2.0%的MnO2,并可进一步含有0.5~5.0%的、选自Bi2O3、TiO2、SnO2和CaO中的一种或几种化合物。本发明的介质陶瓷材料的平均粒度约在0.7~1.7微米。本发明的环保型陶瓷介质材料具有如下优点:高频性能优良、高介电常数、热稳定性好、不含铅(Pb)、砷(As)、镉(Cd)、汞(Hg)、铬(Cr)等有害元素。 |
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