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| 高介电、抗还原陶瓷材料及其制备的陶瓷电容器 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200310117578.7 |
| 申请日期：2003.12.29 |
| 公开公告号：CN1635592 |
| 公开公告日：2005.07.06 |
| 主分类号：H01G4/12 |
| 分类号：H01G4/12;H01G4/30;H01G4/008;H01B3/12;C04B35/01 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：广东风华高新科技集团有限公司 |
| 地址：526020广东省肇庆市风华路18号风华电子城 |
| 发明设计人：付振晓;王作华;聂小明;王孝东;司留启;任海东;曹英;莫方策 |
| 内容摘要：本发明公开了一种高介电、抗还原陶瓷材料及其制备的多层片式电容器。本发明陶瓷材料的其组成按重量百分比计为：主晶相(Ba1-xCax)a(Ti1-yZry)O3：97～99％，其中，0.12≤x≤0.20，0.10≤y≤0.40，1.002≤a≤1.02，而且a为(BaO+CaO)/(TiO2+ZrO2)值；以及0.8～8.20％的辅助成分，该辅助成分为选自Y2O3、MnO2、Yb2O3、ZnO、SiO2、Nb2O5中的一种或几种。本发明还提供了一种采用高介电、抗还原陶瓷材料以及采用贱金属作为内电极材料的电容器。 |
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