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一种高温结构陶瓷材料SiBONC及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200410013682.6

申请日期：2004.04.14

公开公告号：CN1562866

公开公告日：CN1562866

主分类号：C04B35/01

分类号：C04B35/01;C04B35/622;C04B35/64

国际申请：

国际公布：

申请人：哈尔滨工业大学

地址：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

发明设计人：温广武;李峰;张俊宝;宋亮

内容摘要：一种高温结构陶瓷材料SiBONC及其制备方法，涉及一种陶瓷材料及其制备工艺。本发明中涉及到的材料是由Si、B、O、N、C组成的非晶与微晶陶瓷，其中Si、B、O、N、C的摩尔比为(1～6)∶1∶(2～8)∶(1～2)∶(0.2～0.5)。它按照下述步骤进行制备：a.将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物；b.向硅氧聚合物中加入烷基胺，得到Si-O-N有机聚合物；c.向Si-O-N有机聚合物中通入硼化物，得到Si-B-O-N-C有机聚合物；d.在管式气氛保护炉中，对Si-B-O-N-C有机聚合物进行裂解得到Si-B-O-N-C粉末：e.将所制备的Si-B-O-N-C粉末在真空/气氛热压中烧结得到致密的Si-B-O-N-C陶瓷。本发明制备的Si-B-O-N-C陶瓷具有工艺简单、制备成本低的优点。

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