高新技术产业数据库

自蔓延高温合成氮化硅镁粉体的制备方法

发明专利

申请专利号：CN200410016198.9

申请日期：2004.02.10

公开公告号：CN1557709

公开公告日：2004.12.29

主分类号：C01F5/00

分类号：C01F5/00;C04B35/64;C04B35/65

国际申请：

国际公布：

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

地址：200050上海市定西路1295号

发明设计人：彭桂花;江国建;李文兰;张宝林;庄汉锐

内容摘要：一种自蔓延高温合成氮化硅镁(MgSiN2)粉体的制备方法，属于陶瓷材料制备领域。本发明是由镁粉与氮化硅粉按摩尔比3.0～4.0∶1混合，或加入少量卤化物添加剂，在1～10MPa的氮气或者氮气与氢气(95～98％∶5～2％)的混合气中反应制备的。在生产过程中，不需预先压块，反应是在碳毡制的直立环状筒或盘状容器中进行。本发明采用自蔓延高温合成工艺，与文献报道相比，不仅具有无环境污染、能耗低、适合工业大规模生产的优点，而且合成产物的纯度高，氧含量可控制为＜0.5％，适用于制备高强度、高导热氮化硅和氮化铝陶瓷基板材料和微电子封装材料的添加剂等。

详细内容请点击全文下载...

全文下载