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一种碳化硅发热元件冷端部的制造方法

发明专利

申请专利号：CN200410026085.7

申请日期：2004.04.29

公开公告号：CN1569740

公开公告日：2005.01.26

主分类号：C04B35/565

分类号：C04B35/565

国际申请：

国际公布：

申请人：西安奋诵丈学

地址：710049陕西省西安市咸宁路28号

发明设计人：金志浩;高积强;乔冠军;王红洁;杨建锋

内容摘要：本发明涉及一种碳化硅发热元件发热部陶瓷材料的制备工艺，包括12个工艺步骤，碳化硅、石油焦粉、石墨粉、活性炭粉、硅粉的质量分数分别为0.3～0.9、0.05～0.5、0～0.2、0～0.1、0～0.3，分别添加醇溶、水溶性酚醛树脂和有机增塑剂和乙醇；成形坯体入真空气氛烧结炉1450℃～1850℃烧结，得到主晶相为α-SiC，具有一定气孔率的发热元件发热部。本发明制备出主晶相为α-SiC，气孔率可调，游离硅含量＜2％的发热元件发热部；电阻可控制，均匀性好；可使用大颗粒碳化硅作为原料，烧结产品晶粒大，抗氧化，强度高；适用于各种不同规格、不同形状的发热部制造，性能均匀、稳定，远高于目前的技术。

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