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一种Li-Si-Ni-0基高介电常数陶瓷材料及其合成方法

发明专利

申请专利号：CN200410034110.6

申请日期：2004.04.23

公开公告号：CN1569731

公开公告日：2005.01.26

主分类号：C04B35/01

分类号：C04B35/01;C04B35/622;C04B35/624;H01B3/12;H01G4/12

国际申请：

国际公布：

申请人：清华大学

地址：100084北京市100084-82信箱

发明设计人：林元华;蒋磊;王建飞;南策文

内容摘要：本发明涉及一种新型Li-Si-Ni-O基高介电常数陶瓷材料及其合成方法，属于氧化物陶瓷材料制备技术领域。其特征在于：所述材料原料采用Ni、Li的硫酸盐、硝酸盐或氯化物盐类，以碳酸铵或碳酸氢铵作为沉淀剂，通过化学沉淀法或溶胶—凝胶法合成均匀掺杂的纳米前驱体粉体，经造粒、成型、烧结，获得锂、硅共掺杂的氧化镍陶瓷。由于本发明通过改变不同掺杂元素及相对掺杂含量，可以调控该材料体系的介电性能，如介电常数、介电损耗以及温度稳定性。采用化学沉淀法或溶胶—凝胶法，可以获得粒径可控、化学成分均匀的活性纳米前驱体粉体，从而可以降低陶瓷烧结温度、缩短反应时间，降低能耗，改善产品性能。

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