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| 半导体铜键合焊点表面保护 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200410063254.4 |
| 申请日期：1999.10.05 |
| 公开公告号：CN1553492 |
| 公开公告日：2004.12.08 |
| 主分类号：H01L21/60 |
| 分类号：H01L21/60;H01L23/498 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：库利克及索发投资有限公司 |
| 地址：美国宾夕法尼亚州 |
| 发明设计人：N·穆尔德施瓦;T·W·埃利斯;C·赫奥尔特;M·A·埃舍尔曼 |
| 内容摘要：保护铜电路的非绝缘部分的表面免受环境污染对该表面到另一金属表面的连接的损害的方法，所述方法的特征在于用厚度适合于不用助熔剂的焊接的陶瓷材料层涂敷该表面的步骤，并且当该表面被接合以获得表面之间的金属对金属的接触时容易拆卸。还公开了被涂敷的包括半导体晶片的电子封装件。 |
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