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| 中低温烧结的温度稳定型多层陶瓷电容器陶瓷材料 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200410090868.1 |
| 申请日期：2004.11.16 |
| 公开公告号：CN1623955 |
| 公开公告日：2005.06.08 |
| 主分类号：C04B35/468 |
| 分类号：C04B35/468;C04B35/63 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：清华大学 |
| 地址：100084北京市100084-82信箱 |
| 发明设计人：王晓慧;陈仁政;马超;雷震;王浩;李龙土;桂治轮 |
| 内容摘要：本发明公开了中低温烧结的温度稳定型多层陶瓷电容器陶瓷材料。该材料的主要成分为钛酸钡，添加剂有氧化钴和氧化铌、或它们的化合物，氧化钇和稀土氧化物，金属银，氧化锌和氧化硼、或它们的化合物等。所用基料钛酸钡粉体粒径在100nm至500nm之间，烧成的陶瓷材料具有细晶结构，晶粒尺寸在100nm至600nm之间。利用本发明的材料组成和工艺可以获得性能优良、中低温烧结的X7R型多层陶瓷电容器材料。材料的室温介电常数可以控制在1800和5600之间，容温变化率≤±15％，烧结温度范围从900℃到1150℃。当烧结温度最低达到900℃时，使用纯银作为内电极，可以大幅度降低多层陶瓷电容器的成本。 |
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