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一种中高压多层片式结构的陶瓷电容器 |
发明专利 |
申请专利号:CN200410101850.7 |
申请日期:2004.12.29 |
公开公告号:CN1797627 |
公开公告日:2006.07.05 |
主分类号:H01G4/30(2006.01 |
分类号:H01G4/30(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
国际申请: |
国际公布: |
申请人:清华同方股份有限公司 |
地址:100083北京市清华同方科技广场A座2907 |
发明设计人:吉 岸;王晓慧;陈仁政;张 力 |
内容摘要:一种中高压多层片式结构的陶瓷电容器,涉及陶瓷电容器技术领域。本发明包括用陶瓷材料制成的、带两种类型内电极形式的数多片介质层和两端外电极。其中一类介质层的内电极一呈两个小矩形、间隔布列并使各内电极一的外边缘分别与两端外电极连接,二类介质层的内电极二呈一个大矩形与内电极一的两个小矩形的印刷位置对应。其结构特点是,它还包括第三种类型内电极形式的介质层,三类介质层的内电极三为两个框式四边形。内电极三与内电极一和内电极二的印刷涂层位置对应,三类介质层置于一类介质层和二类介质层之间并使上述三类数多片介质层依次叠加。同现有技术相比,本发明具有在不改变陶瓷电容器外形尺寸的前提下,可以大大提高抗电击穿强度的优点。 |
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