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具有薄膜电容器结构的集成电路封装衬底

发明专利

申请专利号：CN200480038456.1

申请日期：2004.12.17

公开公告号：CN1898795

公开公告日：2007.01.17

主分类号：H01L23/498(2006

分类号：H01L23/498(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I

国际申请：2004-12-17 PCT/US2004/042753

国际公布：2005-07-14 WO2005/064646 英

申请人：英特尔公司

地址：美国加利福尼亚州

发明设计人：C·帕兰杜兹

内容摘要：本发明涉及集成电路封装的衬底诸如封装衬底或插入衬底的制造。使用其中具有多个通路孔的绿色材料形成基底结构。随后烧结该绿色材料，使得绿色材料变成烧结陶瓷材料且该基底结构变成具有通路孔的烧结陶瓷基底结构。在烧结陶瓷基底结构的每个通路孔内形成导电通路。在该烧结陶瓷基底结构上形成电容器结构。该电容器结构的电源层和接地层连接到该通路。这样可形成电容器结构，且无需在诸如硅衬底的脆性衬底中钻出通路孔而将该电容器结构连接到通路。烧结陶瓷材料还具有低的热膨胀系数，可承受制造该电容器结构时的高温加工条件，且制造成本不昂贵。

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