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| 半导体材料加工设备中的氧化钇涂覆的陶瓷部件及该部件的制造方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200480040756.3 |
| 申请日期：2004.12.09 |
| 公开公告号：CN1906026 |
| 公开公告日：2007.01.31 |
| 主分类号：B32B9/04(2006.01 |
| 分类号：B32B9/04(2006.01)I;B32B19/00(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I;C03C2 |
| 国际申请：2004-12-09 PCT/US2004/041206 |
| 国际公布：2005-07-14 WO2005/062758 英 |
| 申请人：兰姆研究公司 |
| 地址：美国加利福尼亚 |
| 发明设计人：C·常 |
| 内容摘要：半导体材料加工设备中的氧化钇涂覆的陶瓷部件，包括衬底和衬底上的至少一层含有氧化钇的涂层。这些部件这样制造，将第一含氧化钇的涂层施用在陶瓷衬底上，该衬底可以是陶瓷材料生坯。将涂覆的生坯烧结。对该第一含氧化钇的涂层进行处理，去除因烧结而产生的附着的氧化钇颗粒。在另一个实施方案中，可以在第一含氧化钇的涂层上热喷涂第二含氧化钇的涂层，以覆盖这些颗粒。 |
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