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| 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200510010085.2 |
| 申请日期：2005.06.16 |
| 公开公告号：CN1724453 |
| 公开公告日：2006.01.25 |
| 主分类号：C04B35/00(2006. |
| 分类号：C04B35/00(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：哈尔滨工业大学 |
| 地址：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
| 发明设计人：温广武;李 峰;白宏伟;韩兆祥 |
| 内容摘要：一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备工艺。为了解决现有硅基陶瓷只能在1200～1300℃以下长期稳定使用、可靠性差、相对成本高的不足，本发明按照如下步骤制备：合成SiONC先驱体；合成SiBONC先驱体；对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其核心在于SiONC先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。本发明热压得到的制品抗弯强度在60～300MPa，断裂韧性为1.4～ 3.0MPa/m1/2，保持非晶态的温度为1000～2000℃，在1000℃时高温力学性能损失率为10～50％，抗蠕变能力提高到1500～1800℃。 |
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