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用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法

发明专利

申请专利号：CN200510016502.4

申请日期：2005.01.05

公开公告号：CN1800098

公开公告日：2006.07.12

主分类号：C04B35/622(2006.

分类号：C04B35/622(2006.01)I;C04B35/515(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：中国科学院长春光学精密机械与物

地址：130031吉林省长春市东南湖大路16号

发明设计人：王岩松;范翊;罗劲松;张立功

内容摘要：本发明属于电子材料技术领域，是一种用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法。采用高温热裂解聚合物前驱体法，具体步骤是：选取二乙烯基二氯硅烷和乙硼烷的乙醚溶液作为起始原料，化学合成聚合物前驱体；固化、交联，生成固态聚合物；通过球磨，将固态聚合物研磨成粉末；把固态聚合物粉末压成片状，在高温下烧结，使聚合物热解为Si-B-C-N非晶陶瓷。本发明选用的起始原料很普遍，价格比用其它原料低很多，生产成本较低；硼的掺杂效果很好，硼的含量也比较容易控制，制备出的产品性能良好；工艺简单，实验条件容易实现，适用于大规模生产。

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