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| 一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200510019118.X |
| 申请日期：2005.07.19 |
| 公开公告号：CN1746134 |
| 公开公告日：2006.03.15 |
| 主分类号：C04B35/5833(200 |
| 分类号：C04B35/5833(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：武汉理工大学 |
| 地址：0070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |
| 发明设计人：王为民;傅正义;王 皓 |
| 内容摘要：本发明涉及一种氮化硼陶瓷材料的制备方法。一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法，其特征在于：将纯度≥98％的六方氮化硼粉末干燥后，置于高强石墨模具中，室温下以30-40Mpa压强预压后，放入大电流高压快速烧结炉中，抽真空使真空度达5Pa后，充入流动氮气，氮气压力1.05-1.08大气压；以150-180度/分钟的速度升温到烧结温度进行烧结，烧结时间为20-30 分钟，烧结温度：1650-1750℃，烧结压力：40-60Mpa；断电后随炉冷却到室温，可获得密度大于95％的高纯度六方氮化硼陶瓷材料。该方法烧结时间短、烧结温度低，工艺过程快，高密实度(密度大于95％)。 |
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