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一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200510030857.9

申请日期：2005.10.28

公开公告号：CN1785896

公开公告日：2006.06.14

主分类号：C04B35/462(2006.

分类号：C04B35/462(2006.01)I;C04B35/49(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H0

国际申请：

国际公布：

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

地址：200050上海市定西路1295号

发明设计人：张文斌;张仲猷;董显林

内容摘要：本发明涉及一种晶粒细小、高介电常数的压电陶瓷材料及其制备方法，所述材料的配方组成为：Pb1-mSrm(Mg1/3Nb2/3)xTiyZrzO3+awt.％NiO+bwt.％ SiO2+cwt.％La2O3+dwt.％Sm2O3，其中，m＝0.05～0.15；x＝0.25～0.4；y＝0.3～0.40；z＝0.20～0.4；x+y+z＝1；a＝0.1～0.5； b＝0.1～0.3；c＝0～0.3；d＝0～0.3。所述材料的介电常数ε＞6000、压电系数d33～850pC/N、机械品质因数Qm＝40～60，晶粒尺寸为1～4μm。制备工艺为：配料混合、压块合成；粉碎细磨、干压成型、排塑、通氧烧结、切割加工、上电极、性能测试。有望在超声换能器、特别是医疗超声成像检测领域具有广阔的应用前景。

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