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| 一种氮化硅—碳化钛复合材料的制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200510044249.3 |
| 申请日期：2005.08.12 |
| 公开公告号：CN1760158 |
| 公开公告日：2006.04.19 |
| 主分类号：C04B35/596(2006. |
| 分类号：C04B35/596(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：山东大学 |
| 地址：250061山东省济南市历下区经十路73号 |
| 发明设计人：赵 军;艾 兴;吕志杰 |
| 内容摘要：本发明属材料科学技术领域，特别涉及一种氮化硅粒度呈双峰分布的氮化硅—碳化钛复合材料的制备方法。提出了在微米级Si3N4基体中加入纳米级Si3N4颗粒和TiC颗粒的方法，通过分段温升、分段加压的热压烧结工艺，制备出基体氮化硅呈双峰分布的 Si3N4/TiC纳米复合陶瓷材料。通过添加纳米Si3N4颗粒形成的类晶须晶粒双峰分布及纳米TiC颗粒增韧，使得纳米复合陶瓷材料获得了较高的强度、韧性、抗热震性能及抗氧化性能。所制备的纳米复合陶瓷材料硬度HV16～17.5GPa，抗弯强度900～1000MPa，断裂韧性7～7.5MPa·m1/2，抗热震温差为650℃。 |
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