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| 一种电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200510047688.X |
| 申请日期：2005.11.11 |
| 公开公告号：CN1962544 |
| 公开公告日：2007.05.16 |
| 主分类号：C04B35/565(2006. |
| 分类号：C04B35/565(2006.01)I;C04B38/08(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：中国科学院金属研究所 |
| 地址：110016辽宁省沈阳市文化路72号 |
| 发明设计人：张劲松;曹小明;田 冲;杨振明;刘 强 |
| 内容摘要：本发明涉及导电泡沫陶瓷的制备技术，具体地说是电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料及其制备方法，其中所述碳化硅泡沫陶瓷以多边型封闭环为基本单元，各基本单元相互连接形成三维连通网络；构成多边形封闭环单元的陶瓷筋的相对致密度≥99％；按重量分数计，其成份由80％～96％的碳化硅、10％～2％金属相和10％～2％的硅组成；电阻率的变化范围为：5 Ω.cm-0.01Ω.cm。 |
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