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纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法
发明专利

 
申请专利号:CN200510048278.7
申请日期:2005.12.30
公开公告号:CN1854105
公开公告日:2006.11.01
主分类号:C04B35/63(2006.0
分类号:C04B35/63(2006.01)I;C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H0
国际申请:
国际公布:
申请人:电子科技大学
地址:610054四川省成都市建设北路一段4号
发明设计人:周晓华;张树人;李 波;朱文奕;钟朝位;杨成韬
 
内容摘要:纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法,属于电子材料技术领域。本发明的纳米级陶瓷材料掺杂剂,其配方表示为:aA·bB·cC·dR2O3·eSiO2;其中,A包括Na2O;B包括MgO、CaO之一种或多种;C 包括MnO2、Co3O4之一种或多种;R包括Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、 Tm、Yb、Lu之一种或多种;其中,a、b、c、d、e是系数,以mol%计算,0≤ a≤10%,0≤b≤25%,0≤c≤15%,20%≤d≤60%,10%≤e≤50%,b与c不同时为0。本发明的方法得到的介质材料初始颗粒超细,符合MLCC大容量、小型化的趋势,材料配方可调,烧结温度低;介电常数高,介质损耗小,制成的材料均匀性好,性能重复性好,有利于提高电容器的可靠性。
 
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