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纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法

发明专利

申请专利号：CN200510048315.4

申请日期：2005.12.28

公开公告号：CN1810707

公开公告日：2006.08.02

主分类号：C04B35/01(2006.0

分类号：C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/624(2006.01)I;C0

国际申请：

国际公布：

申请人：电子科技大学

地址：610054四川省成都市建设北路一段4号

发明设计人：周晓华;张树人;钟朝位;王升;李波

内容摘要：纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域，特别涉及一种电容器陶瓷材料。本发明所制备的掺杂剂的尺寸达纳米级，成本低，均匀性好。本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，提供一种纳米级陶瓷材料掺杂剂，其主成分为包含以下元素的复合氧化物：aSi+bA+cD+dR，其中，A代表受主元素，至少包括 Mg、Mn之一；D代表V、 Gd、Sm、Nd、Pr中的一种或多种：R代表稀土元素，包括Ho、Dy、 Y、Yb、Er其中之一种或多种；其中，a、b、c、d是系数，以mole 比计算，10％≤a≤70％，10％≤b≤40％，10％≤c≤40％，10％≤d≤ 40％。

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