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| 低温烧结介电陶瓷材料及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号:CN200510050673.9 |
| 申请日期:2005.07.12 |
| 公开公告号:CN1749212 |
| 公开公告日:2006.03.22 |
| 主分类号:C04B35/462(2006. |
| 分类号:C04B35/462(2006.01)I;C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H |
| 国际申请: |
| 国际公布: |
| 申请人:浙江大学 |
| 地址:310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |
| 发明设计人:王家邦;杨 辉;方 香;陈尚昆 |
| 内容摘要:本发明公开了一种低温烧结介电陶瓷材料及其制备方法。第一步将主料 BaO-Re2O3-Bi2O3-TiO2混合在1150℃的条件下保温3小时制备陶瓷粉料,第二步引入由BaCO3和CuO共混于750℃制备的BaCuO2-CuO助剂,共混研磨后于 950℃保温4小时,第三步磨碎所述的预处理陶瓷粉料,使其平均粒径为约1.0 微米;第四步是将熔融水冷法制备的BaO-B2O3-SiO2玻璃粉料与所述的磨碎的预处理陶瓷粉料混合均匀,得到用于制备介电陶瓷的粉料;第五步是将所述的材料成型,并在880~1100℃之间或更低的温度烧制该成型的材料。所得的介电陶瓷组合物可在低温烧结,并具有高的比介电常数、高品质因子Q值。 |
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