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一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法 |
发明专利 |
申请专利号:CN200510075767.1 |
申请日期:2004.04.14 |
公开公告号:CN1721364 |
公开公告日:2006.01.18 |
主分类号:C04B35/01(2006.0 |
分类号:C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C03B32/02(2006.01)I |
国际申请: |
国际公布: |
申请人:哈尔滨工业大学 |
地址:150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
发明设计人:温广武;李 峰;张俊宝;宋 亮 |
内容摘要:一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法,涉及一种陶瓷材料的制备工艺。本发明按照下述步骤进行制备:a.将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物;b.向硅氧聚合物中加入烷基胺,得到Si-O-N有机聚合物;c.向Si-O-N有机聚合物中通入硼化物,得到Si-B-O-N-C有机聚合物;d.在管式气氛保护炉中,对Si-B-O-N-C有机聚合物进行裂解得到 Si-B-O-N-C粉末;e.将所制备的Si-B-O-N-C粉末在真空/气氛热压中烧结得到致密的Si-B-O-N-C陶瓷。本发明制备的Si-B-O-N-C陶瓷具有工艺简单、制备成本低的优点。 |
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