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一种低温共烧陶瓷及其制备方法 |
发明专利 |
申请专利号:CN200510076888.8 |
申请日期:2005.06.20 |
公开公告号:CN1693286 |
公开公告日:2005.11.09 |
主分类号:C04B35/64 |
分类号:C04B35/64;C04B35/453 |
国际申请: |
国际公布: |
申请人:清华大学 |
地址:100084北京市海淀区清华园 |
发明设计人:周 济;崔学民;王悦辉;沈建红;缪春林 |
内容摘要:本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料,含有下述重量份数比的组分:Bi2O3 40-80,B2O3 5-20,SiO2 5-30,助熔剂0-2,陶瓷材料1-50。其制备方法包括如下步骤:(1)向含有上述重量份数组分的混合物料中加入乙醇或水,研磨后烘干,然后重新研磨成粉末; (2)将所得粉末在500-600 ℃下煅烧2-4小时,研磨后得到该材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点: (1)烧结温度低于700℃;烧结收缩率可控制在0-20%;(2)介电常数在5-20 (1GHz)之间;(3)制备工艺简单、成本低、没有毒副作用;(4)可以应用于高频电路、可集成化的陶瓷基板、谐振器、滤波器等电子器件及半导体和微电子封装材料领域。 |
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