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| 一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200510076993.1 |
| 申请日期：2005.06.14 |
| 公开公告号：CN1699285 |
| 公开公告日：2005.11.23 |
| 主分类号：C04B35/584 |
| 分类号：C04B35/584;C04B35/622;C04B38/06 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：清华大学 |
| 地址：100084北京市100084-82信箱 |
| 发明设计人：时利民;赵宏生;唐春和;闫迎辉;梁彤祥 |
| 内容摘要：本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的制备方法。首先采用包混工艺将一定质量比的硅粉、酚醛树脂和酒精制备包混粉体，其次将包混粉体进行低温低压成型制备陶瓷生坯，接着高温碳化处理陶瓷生坯，最后将碳化处理样品进行高温烧结获得孔隙率大于80％的多孔碳化硅陶瓷。本方法工艺简单、生产效率高、节能、环境相容性好，是一种能够制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法。 |
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