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用于半导体处理设备的陶瓷件

发明专利

申请专利号：CN200510081877.9

申请日期：2001.06.25

公开公告号：CN1702193

公开公告日：2005.11.30

主分类号：C23C16/44

分类号：C23C16/44;C23C16/50;H01L21/00

国际申请：

国际公布：

申请人：兰姆研究公司

地址：美国加利福尼亚

发明设计人：威廉·F·博希

内容摘要：一种陶瓷件，用于处理半导体衬底的真空处理室，该陶瓷件包括：具有才机加工或才烧结的外表面的非氧化物陶瓷材料；和在该外表面上并形成陶瓷件的最外表面的氧化层，该氧化层内包含附着在外表面上的非氧化物陶瓷材料颗粒。在半导体衬底处理期间，使陶瓷件经等离子体调控处理可使颗粒污染降至最低。陶瓷件可由各种材料制成，如氧化铝、二氧化硅、石英、碳、硅、碳化硅、氮化硅、氮化硼、碳化硼、氮化铝或碳化钛。陶瓷件可为真空处理室的各种部件，如处理室侧壁内的衬套、向处理室供给处理气体的气体散布板、喷淋头组件的缓冲板、晶片通道插入件、衬底周围的聚焦环、电极周围的边环、等离子体屏蔽板和/或窗口。

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