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用于半导体处理设备的陶瓷件
发明专利

 
申请专利号:CN200510081877.9
申请日期:2001.06.25
公开公告号:CN1702193
公开公告日:2005.11.30
主分类号:C23C16/44
分类号:C23C16/44;C23C16/50;H01L21/00
国际申请:
国际公布:
申请人:兰姆研究公司
地址:美国加利福尼亚
发明设计人:威廉·F·博希
 
内容摘要:一种陶瓷件,用于处理半导体衬底的真空处理室,该陶瓷件包括:具有才机加工或才烧结的外表面的非氧化物陶瓷材料;和在该外表面上并形成陶瓷件的最外表面的氧化层,该氧化层内包含附着在外表面上的非氧化物陶瓷材料颗粒。在半导体衬底处理期间,使陶瓷件经等离子体调控处理可使颗粒污染降至最低。陶瓷件可由各种材料制成,如氧化铝、二氧化硅、石英、碳、硅、碳化硅、氮化硅、氮化硼、碳化硼、氮化铝或碳化钛。陶瓷件可为真空处理室的各种部件,如处理室侧壁内的衬套、向处理室供给处理气体的气体散布板、喷淋头组件的缓冲板、晶片通道插入件、衬底周围的聚焦环、电极周围的边环、等离子体屏蔽板和/或窗口。
 
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