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| 在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200510086689.5 |
| 申请日期：2005.10.21 |
| 公开公告号：CN1778767 |
| 公开公告日：2006.05.31 |
| 主分类号：C04B35/515(2006. |
| 分类号：C04B35/515(2006.01)I;C04B35/56(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：清华大学 |
| 地址：100084北京市北京100084-82信箱 |
| 发明设计人：潘 伟;韩若冰 |
| 内容摘要：在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法，属于高性能陶瓷材料技术领域。其特征在于：以TiC粉、Ti粉、Si粉为原料，按照摩尔比TiC∶Ti∶Si＝2∶(1～1.3)∶(1.1～1.5) 的比例配料，球磨混合，烘干过筛后，放入氧化铝坩埚中，置于真空反应炉，预抽真空至5～ 20Pa，以不大于50℃/分钟的升温速度升温至1300～1400℃，在1300～1400℃范围内真空下保温1～2小时，自然冷却至室温，得到Ti3SiC2相含量大于97％的钛硅碳(Ti3SiC2)陶瓷粉体。该方法工艺简单，成本较低，制备钛硅碳(Ti3SiC2)粉体纯度高，适合规模化工业生产。 |
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