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低介电、透波多孔陶瓷材料及其制备方法
发明专利

 
申请专利号:CN200510104409.9
申请日期:2005.10.27
公开公告号:CN1793014
公开公告日:2006.06.28
主分类号:C04B35/14(2006.0
分类号:C04B35/14(2006.01)I;C04B35/447(2006.01)I;C04B38/02(2006.01)I;C04
国际申请:
国际公布:
申请人:中材高新材料股份有限公司
地址:255031山东省淄博市张店区柳泉路西三巷5号
发明设计人:张伟儒;李 伶;陈达谦;雷加喜;山玉波;田 柯
 
内容摘要:本发明涉及一种改进的低介电、透波多孔陶瓷材料及其制备方法,属于特种、功能陶瓷技术领域,由下列重量配比的原料制成:石英∶磷酸铝∶氮化硅=(40~55)∶(40~ 50)∶(5~10);外加无机液体发泡剂1~10%,利用发泡剂对配料粉料进行造粒后再压制成型,粒度控制为60~90微米。本发明低介电、透波多孔陶瓷材料不仅具有良好的力学性能,强度高,而且具有优异的介电性能,介电常数低,ε<2,透波率高,达90%以上,能够满足应用要求。本发明制备方法科学合理,简单易行,便于实施。
 
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