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| 荧光陶瓷及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200580015618.4 |
| 申请日期：2005.05.12 |
| 公开公告号：CN101107206 |
| 公开公告日：2008.01.16 |
| 主分类号：C04B35/547(2006. |
| 分类号：C04B35/547(2006.01)I;C09K11/77(2006.01)I;C04B35/053(2006.01)I;C0 |
| 国际申请：2005-05-12 PCT/IB2005/051562 |
| 国际公布：2005-11-24 WO2005/110943 英 |
| 申请人：皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 地址：荷兰艾恩德霍芬 |
| 发明设计人：L·波利亚斯尼科瓦;V·德米登科;E·戈罗克霍瓦;O·奥夫延尼科瓦;O·克里斯蒂奇;H·维措勒克;C·R·隆达;G·蔡特勒 |
| 内容摘要：本发明涉及用M掺杂的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷，其中M 代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000-1400℃温度下进行；和/或在100MPa-300MPa压力下进行；在700℃-1200℃ 下空气退火0.5小时至30小时。 |
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