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无源器件结构

发明专利

申请专利号：CN200580033160.5

申请日期：2005.10.13

公开公告号：CN101032192

公开公告日：2007.09.05

主分类号：H05K1/16(2006.01

分类号：H05K1/16(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I

国际申请：2005-10-13 PCT/US2005/037626

国际公布：2006-05-04 WO2006/047189 英

申请人：英特尔公司

地址：美国加利福尼亚

发明设计人：坚吉兹·帕兰独兹;Y·闵

内容摘要：一种方法包括直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料；在该陶瓷材料上形成第二导电材料；以及烧结该陶瓷材料。一种方法包括直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料；在该陶瓷材料上形成第二导电材料，使得该陶瓷材料设置在第一导电材料和第二导电材料之间；以足够的温度进行热处理以烧结该陶瓷材料并且形成第二导电材料的薄膜；以及使用不同的导电材料涂覆第一导电材料和第二导电材料中的至少一个的暴露表面。一种器件包括第一电极和第二电极；以及该第一电极和该第二电极之间的陶瓷材料，其中该陶瓷材料被直接烧结在第一电极和第二电极中的一个上。

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