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透明多阳离子陶瓷及其制备方法 |
发明专利 |
申请专利号:CN200580038309.9 |
申请日期:2005.11.01 |
公开公告号:CN101102976 |
公开公告日:2008.01.09 |
主分类号:C04B35/44(2006.0 |
分类号:C04B35/44(2006.01)I;C04B35/505(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I |
国际申请:2005-11-01 PCT/US2005/039568 |
国际公布:2007-01-25 WO2007/011409 英 |
申请人:通用电气公司 |
地址:美国纽约州 |
发明设计人:S·P·M·洛雷罗;S·J·斯托克洛萨;J·S·瓦图利;J·A·布鲁尔;T·F·麦努尔蒂;V·S·文卡塔拉马尼;M·马诺哈兰 |
内容摘要:提供一种制备具有平均晶粒直径小于1微米的多阳离子陶瓷的方法。该方法包括以下步骤:提供至少第一材料和第二材料,其中第一材料包含第一阳离子,第二材料包含第二阳离子,并且其中第一阳离子和第二阳离子相互不相同,第一材料和第二材料每一都是纳米粉;形成包含第一材料和第二材料的混合物;由混合物形成坯体;形成包括第一阳离子和第二阳离子的致密多阳离子陶瓷材料,其中致密多阳离子陶瓷材料包含含有第一阳离子和第二阳离子的主相,该主相与第一材料和第二材料不同。多阳离子陶瓷具有高密度和高的直线透射率。 |
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