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| 透红外α-sialon陶瓷材料及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200610010503.2 |
| 申请日期：2006.09.06 |
| 公开公告号：CN1915907 |
| 公开公告日：2007.02.21 |
| 主分类号：C04B35/599(2006. |
| 分类号：C04B35/599(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：哈尔滨工业大学 |
| 地址：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
| 发明设计人：叶 枫;刘利盟 |
| 内容摘要：透红外α-sialon陶瓷材料及其制备方法，属于透红外线陶瓷材料技术领域。为了提高α-sialon陶瓷的透光性能，降低晶间相对多晶陶瓷透光性能的影响，本发明的α-sialon陶瓷材料的分子式为Rem/3Si12-(m+n)Alm+nOnN16-n，式中m＝1， 0.5＜n＜2，Re为稀土元素。其制备方法为：a.采用Si3N4、AlN、Al2O3、Re2O3 粉末为原料，按分子式为Rem/3Si12-(m+n)Alm+nOnN16-n配料；b.采用热压烧结工艺制备透光α-sialon材料；c.对材料进行高温氮化处理，氮化结束后在1200℃ 以上温度区间降温。本发明将α-sialon成分调节到α-β相界，最大限度地降低了晶间相含量。 |
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