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一种原位增韧氮化硅基陶瓷及其超快速烧结方法

发明专利

申请专利号：CN200610011114.1

申请日期：2006.01.06

公开公告号：CN1793042

公开公告日：2006.06.28

主分类号：C04B35/584(2006.

分类号：C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：清华大学

地址：100084北京市北京100084-82信箱

发明设计人：李建保;郭钢锋;杨晓战;林红;梁龙;何明生

内容摘要：本发明涉及一种原位增韧氮化硅基陶瓷及其超快速烧结方法，属陶瓷材料领域。本发明以氮化硅粉末和氧化物/氧化物混合体添加剂为原料，混合均匀后采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering，SPS) 进行超快速烧结。所述氧化物添加剂为稀土氧化物，所述氧化物混合体添加剂为氧化铝，氮化铝以及稀土氧化物。这种超快速烧结方法使得原始的α-Si3N4相能在极短的时间内迅速的完全转变为β-Si3N4或β-sialon相，并且在氮化硅基陶瓷中原位形成了长柱状的β-Si3N4或β-sialon 晶粒，所得的氮化硅基陶瓷具有高硬度和高韧性，是一种很有前途的结构材料。同时由于此烧结方法是在1至2分钟内超快速烧结，因此烧结工艺效率高，成本低廉。

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